Resultados preliminares de viabilidad para la auto-calibración de fotodiodos pn de silicio a temperatura ambiente empleando sensores de temperatura
E. Borreguero, C. K. Tang, J. Gran, A. Pons, J. Campos
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Información básica
Volumen
V51 - N2 / 2018 Ordinario
Referencia
50013:1-8
DOI
http://doi.org/10.7149/OPA.51.2.50013
Idioma
English
Etiquetas
Auto-calibración, radiómetro, fotodiodo de silicio, PQED.
Resumen
Los detectores cuánticos, eficientes y predecibles (PQEDs), basados en el efecto fotoeléctrico del silicio como material semiconductor, han demostrado su potencial como patrón primario de flujo radiante. Hasta ahora, las simulaciones con programas de dispositivos semiconductores son el método común para predecir la respuesta de un PQED. Como alternativa, este trabajo investiga la viabilidad de una técnica experimental, la auto-calibración de fotodiodos de silicio a temperatura ambiente mediante sensores de temperatura. Se construyó un dispositivo que compara dos principios físicos a través de la potencia óptica, funcionando como fotodetector y como radiómetro basado en la sustitución eléctrica. El dispositivo permite medir la corriente generada por la irradiancia cuando es iluminado (en modo fotocorriente) y el calentamiento del sistema, inducido mediante un láser o por polarización eléctrica directa, para determinar la potencia óptica (en modo térmico). El estudio de viabilidad consiste en comprobar la equivalencia entre los dos modos y establecer el rango apropiado de potencia óptica para ello. El rango de nivel óptimo de potencia óptica, donde ambos modos operan en el dominio lineal con la configuración actual, comprende desde 300 µW hasta 1 mW. Dentro de este rango, la incertidumbre experimental de la potencia óptica es menor que el 1%.
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